transistor de poder do mosfet
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Transistor de poder 28.5dB do Mosfet da eficiência elevada 108MHz BLF174XR RF
Preço: negotiable
MOQ: 1 piece
Prazo de entrega: 1-2 working days
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, transistor do canal de n
Mosfet LDMOS de BLF174XR RF (duplo), fonte comum 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A
600 transistor de poder extremamente áspero de W LDMOS para a transmissão e aplicações industriais no HF à faixa de 128 megahertz
Característica
1, controle de poder fácil
2, proteção integrada... Veja mais
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Transistor de poder 600V do Mosfet de IRFPC60PBF 16A através do furo TO-247-3
Preço: negotiable
MOQ: 30 pieces
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: IR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, transistor do canal de n
N-canal 600V 16A do TRANSISTOR do MOSFET de IRFPC60PBF (Tc) 280W (Tc) através do furo TO-247-3CARACTERÍSTICAS• Avaliação dinâmica de dV/dt• Avalancha repetitiva avaliada• Furo de montagem central isolado• Interruptor rápido• Facilidade da paralelização• Exigências simples da movimentação• Ligação (P... Veja mais
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Transistor de poder do Mosfet do canal de IRFP4227 N a -247AC IRFP4227PBF
Preço: negotiable
MOQ: 30 pieces
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: IR or Infenion
Realçar:transistor do mosfet do canal de n, transistor do canal de n
TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF do MOSFET da CANALETA de IRFP4227 200V 65A N Características Tecnologia avançada de processos Parâmetros-chave otimizados para as aplicações PDP Sustain, Energy Recovery e Pass Switch Baixa classificação de EPULSE para reduzir a dissipação de energia no PDP Sust... Veja mais
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Substituição de faixa larga do transistor do canal de MRF151G RF N para BLF278
Preço: negotiable
MOQ: 1 piece
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: MA-COM
Realçar:transistor do mosfet do canal de n, transistor do canal de n
Transistor 500W do efeito de campo do poder de MRF151G RF, 50V, substituição de faixa larga do MOSFET do N-canal 175MHz para BLF278
Características
1, desempenho garantido em 175 megahertz, 50 V
2, potência de saída — 300 W • Ganho — DB 14 (tipo do DB 16)
3, eficiência — 50% • Baixa res... Veja mais
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Gestão IC do poder de STPMIC1APQR Digitas
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Realçar:Gestão IC do poder de ROHS Digitas, Gestão IC do poder de STPMIC1APQR Digitas, Componentes eletrônicos de STPMIC1APQR
Gestão IC do poder de STPMIC1APQR Digitas
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NÚMERO DA PEÇA
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M3S11-ALAA
ALI
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B108C
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MAX4427MJA/883B
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Transistor de poder do Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para amplificadores de poder superior do HF
Preço: negotiable
MOQ: 1 piece
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: Mitsubishi
Realçar:Transistor do MOSFET do canal de N, Transistor do canal de N, transistor de poder do Mosfet de 25A 12.5W
O tipo transistor do MOSFET RD100HHF1 projetou especificamente para aplicações dos amplificadores de poder superior do HF
CARACTERÍSTICAS
• Poder superior e ganho alto: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz
• Eficiência elevada: faixa de HF 60%typ.on
APLICAÇÃO
Para a fas... Veja mais
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Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X
Preço: negotiable
MOQ: 1 piece
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: Fuji Electric
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, transistor do canal de n
FET internamente combinado da X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF
DESCRIÇÃO
O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamente as faixas padrão de uma comunicação do matchedfor para fornecer o poder e o ganho os melhores em um 50Ωsystem
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Transistor do carboneto de silicone do transistor de poder 175MHz de RD06HVF1 RF 6W para amplificadores
Preço: negotiable
MOQ: 50 pieces
Prazo de entrega: 1-2 working days
Marca: Mitsubishi
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Transistor de poder 175MHz do RF 6W
RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silício 175MHz 6W para aplicações de amplificadores
Descrição de RD06HVF1
RD06HVF1 é um transistor tipo MOS FET projetado especificamente para aplicações de amplificadores de potência VHF RF
CARACTERÍSTICAS do RD06HVF1
Alto ganho de potência: Pout>... Veja mais
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N canaliza o interruptor rápido do MOSFET do transistor de poder IRF540NS do Mosfet 100V 33A 130W D2PAK
Preço: negotiate
MOQ: 20 pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Transistor de poder IRF540NS do Mosfet
MOSFET do N-canal 100V 33A 130W D2PAK de IRF540NS com interruptor rápido
Características
Tecnologia de processamento avançada
Em-resistência ultra baixa
Avaliação dinâmica de dv/dt
temperatura de funcionamento 175°C
Interruptor rápido
I... Veja mais
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N-canal 100 V 0 do TRANSISTOR do MOSFET STP45N10F7 tipo 45A de 013 ohms
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Realçar:TRANSISTOR DO MOSFET STP45N10F7, transistor do MOSFET do canal de 100V N, Transistor do MOSFET do canal de STP45N10F7 N
N-canal 100 V 0 do TRANSISTOR do MOSFET STP45N10F7 tipo 45A de 013 ohms
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SSM6K25FE (TE85L, F)
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PMEG4010CEJ
S9S08DZ60F2MLH
FREESCALE
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Microcontrolador LQFP100 do BRAÇO STM32F407VET6
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Realçar:Microcontrolador do BRAÇO STM32F407VET6, Microcontrolador LQFP100 do BRAÇO, Componentes STM32F407VET6 eletrônicos
Microcontrolador LQFP100 do BRAÇO STM32F407VET6
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MPC8266AZUPJDC
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SIPEX
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Microcontrolador LQFP48 do BRAÇO STM32F030C8T6
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: ST
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Microcontrolador LQFP48 do BRAÇO STM32F030C8T6
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FM1701-SOU-R
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Transistor do MOSFET do canal de STH150N10F7-2 N
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Realçar:Transistor de poder do Mosfet STH150N10F7-2, Transistor do MOSFET do canal de STH150N10F7-2 N, Transistor do MOSFET STH150N10F7-2
Transistor do MOSFET do N-canal STH150N10F7-2
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LTC3545EUD#TRPBF
LINEAR
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Módulos de poder 5V de IRM-10-5 AC/DC 2A 10W
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: MEANWELL
Realçar:Módulos de poder de IRM-10-5 AC/DC, Módulos de poder 5V 2A 10W
Módulos de poder 5V de IRM-10-5 AC/DC 2A 10W
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ELPIDA
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TRANSISTOR 100V 33A 44mOhm do MOSFET de IRF540NPBF
Preço: negotiate
MOQ: negotiate
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Realçar:TRANSISTOR 100V 33A do MOSFET, Transistor de poder do Mosfet de IRF540NPBF, TRANSISTOR DO MOSFET DE IRF540NPBF
TRANSISTOR 100V 33A 44mOhm do MOSFET de IRF540NPBF
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EP20K100EFC324-2
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PIC16C57-LP/P
MICROCHIP
DPTV-DX6630B
TRIDENT
UPD78F0526AGB-8ET-A
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N- Canalize o transistor de poder 55V do Mosfet 110A 200W através do furo TO-220AB IRF3205PBF
Preço: negotiate
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Transistor de poder do Mosfet do canal de N
MOSFET 55V 110A 200W do N-canal de IRF3205PBF através do furo TO-220AB
Descrição
MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do International
O retificador utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir
extremamente - baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício,
combin... Veja mais
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Através de Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44N do poder do canal do furo N
Preço: negotiate
MOQ: 50pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Mosfet 55V 49A do poder do canal de N
MOSFET 55V 49A 94W do PODER do N-canal de IRFZ44N através do furo TO-220
Descrição
MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do International
O retificador utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir
extremamente - baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício,
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Mosfet de superfície FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 do poder do canal da montagem P - MLP RoHS complacente
Preço: negotiate
MOQ: 20pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: ON Semiconductor
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Mosfet de superfície do poder do canal da montagem P
Montagem 8-MLP da superfície do MOSFET 2.3W 41W do PODER do P-canal 20V de FDMC510P
Descrição geral
Este MOSFET do P-canal é produzido usando o processo avançado de Trench® do poder do semicondutor de Fairchild que foi aperfeiçoado para o RDS (SOBRE), o desempenho e a aspereza de comutação.
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MOSFET 200V 50A 300W do canal do transistor de poder 64-6005PBF do Mosfet de IRFP260NPBF n através do furo TO-247AC
Preço: negotiate
MOQ: 10 pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, Transistor do MOSFET do canal de N, Transistor de poder do Mosfet de IRFP260NPBF
MOSFET 200V 50A 300W do N-canal de IRFP260NPBF através do furo TO-247AC RoHS complacente
O outro nome: 64-6005PBF
Característica
l tecnologia de processamento avançada
l avaliação dinâmica de dv/dt
l temperatura de funcionamento de 175°C
l jejua interruptor
l inteiramente avalancha ava... Veja mais
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Canal de superfície 55V 17A 45W do d PAK n do transistor de poder superior IRFR024NTRPBF da montagem
Preço: negotiate
MOQ: 50 pcs
Prazo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Realçar:transistor do mosfet do poder superior, transistor do mosfet do canal de n
Montagem RoHS da superfície do N-canal 55V 17A 45W de IRFR024NTRPBF D-PAK complacenteCaracterístical Em-resistência ultra baixal montagem da superfície (IRFR024N)l ligação reta (IRFU024N)l tecnologia de processamento avançadal jejua interruptorl inteiramente avalancha avaliadaTipo do FETN-canal Tecn... Veja mais
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