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Bolacha do nitreto do gálio

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China 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando à venda

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando

Preço: by case
MOQ: 1pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:carcaça gan, molde gan
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas, wafer de GaN para LED, wafer de nitreto de gálio semicondutor para ld, modelo de GaN, wafer de GaN mocvd, substratos de GaN independentes por tamanho personalizado, wafer de GaN de tamanho pequeno para LED, wafer de nitreto de gálio mocvd 10x10mm, 5x5mm, 1... Veja mais
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China GaN-Em-si EPI-WAFERS de 8INCH 12INCH 6INCH para a aplicação do diodo emissor de luz do RF do poder à venda

GaN-Em-si EPI-WAFERS de 8INCH 12INCH 6INCH para a aplicação do diodo emissor de luz do RF do poder

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Realçar:Bolacha industrial de Epi do si da categoria, GaN Si Epi Wafer, Carcaças do nitreto de alumínio do RF do poder
EPI-WAFERS GAN-ON-SI de 8 polegadas, 12 polegadas e 6 polegadas para aplicação de LED RF POWER Wafer epitaxial GaN (GaN EPI em Silício)O nitreto de gálio (GaN) tem sido amplamente usado em dispositivos de energia e diodos emissores de luz azul devido à sua grande lacuna de energia. IntroduçãoPara ... Veja mais
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China Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser à venda

Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

Preço: by case
MOQ: 1pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:molde gan, molde do aln
carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN, Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorção) o ultravioleta, a luz... Veja mais
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China bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si à venda

bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si

Preço: by case
MOQ: 2pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:carcaça gan, molde gan
bolacha do molde de AlN do nitreto do gálio 2inch, 4inch na safira ou sic as carcaças, bolacha do nitreto do gálio de HVPE, moldes de AlN Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorção) o ultravioleta, a luz visível e o infravermelho. Produto Fi... Veja mais
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China 4

4" bolacha do nitreto do gálio

Preço: by case
MOQ: 2pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:4" bolacha do nitreto do gálio, Bolacha do nitreto do gálio de HVPE, bolacha do nitreto do gálio 650um
As carcaças UVC do diodo emissor de luz EPI mergulham a bolacha do molde de AlN do nitreto do gálio 2inch, 4inch na safira ou sic as carcaças, Bolacha do nitreto do gálio de HVPE, moldes de AlN Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e ... Veja mais
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China Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF à venda

Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:única bolacha gan de cristal do epi, bolacha gan do epi do molde, carcaças gan do molde
bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças livres para o applicaion do diodo emissor de luz, microplaquetas de GaN da posição de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN Sobre GaN Feature introduza O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velo... Veja mais
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China bolachas de GaN-em-SIC Epi do GaN-em-si de 4Inch 6INCH para a aplicação do RF à venda

bolachas de GaN-em-SIC Epi do GaN-em-si de 4Inch 6INCH para a aplicação do RF

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Realçar:GaN Silicon Substrate, Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, Carcaças do semicondutor para a aplicação do RF
EPI-WAFERS GAN-ON-SI de 8 polegadas, 12 polegadas, 6 polegadas para aplicação de micro-LED RF 8 polegadas 100mm 150mm 200mm 300mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para aplicação de energia Wafer epitaxial GaN (GaN EPI em Silício)O nitreto de gálio (GaN) tem sido amplamente usado em dispositivos de energia e d... Veja mais
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China GaN--GaN Em micro bolachas GaN Substrates estando livre do diodo emissor de luz EPI 2 polegadas à venda

GaN--GaN Em micro bolachas GaN Substrates estando livre do diodo emissor de luz EPI 2 polegadas

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:Micro bolachas do diodo emissor de luz EPI, Carcaça do nitreto do gálio de 2 polegadas, Bolacha do gálio EPI
B2inch GaN--GaN em bolachas verdes azuis do epi Micro-diodo emissor de luz em carcaças autônomas de GaN 2inch GaN--GaN em bolachas do PIN em carcaças autônomas de GaN Aproximadamente GaN--GaN na característica introduza Os dispositivos de poder verticais de GaN têm o potencial revolucionar... Veja mais
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China 2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada à venda

2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada

Preço: usd150.00
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Realçar:Bolacha do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire, Bolacha do diodo emissor de luz Epi de 2 polegadas, Bolacha do diodo emissor de luz do nitreto do gálio
o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu bolachas verdes da epi-bolacha PSS do diodo emissor de luz Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica ... Veja mais
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China M-linha central Undoped HVPE GAN Wafers For de 10X10mm semiconducting à venda

M-linha central Undoped HVPE GAN Wafers For de 10X10mm semiconducting

Preço: by case
MOQ: 10pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolachas de HVPE GAN, Bolachas da linha central GAN de M, único cristal undoped de GaN
carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN, GaN Applications GaN pode ser usado para fazer diversos tipos dos dispositivos; os dispositivos preliminares de... Veja mais
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China Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros à venda

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:molde gan, molde do aln
bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças eretas livres para o LD, microplaquetas de GaN de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN Sobre a característica de GaN introduza O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta t... Veja mais
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China Semi - bolacha de isolamento Undoped HVPE do nitreto do gálio e tipo do molde à venda

Semi - bolacha de isolamento Undoped HVPE do nitreto do gálio e tipo do molde

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:carcaça gan, molde gan
bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças eretas livres para o LD, microplaquetas de GaN de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN Sobre a característica de GaN introduza O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta te... Veja mais
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China Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm à venda

Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm

Preço: by case
MOQ: 1pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:GaN Gallium Nitride Wafer, tipo bolacha de n do nitreto do gálio, Bolacha de HVPE gaas
carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN, GaN Applications GaN pode ser usado para fazer diversos tipos dos dispositivos; os dispositivos preliminares d... Veja mais
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China Bolacha Sapphire Template Epi Wafers do nitreto do gálio de 2 polegadas à venda

Bolacha Sapphire Template Epi Wafers do nitreto do gálio de 2 polegadas

Preço: usd150.00
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Realçar:Bolachas de Epi do molde, Bolacha do arsenieto de gálio de Epi, Nitreto Sapphire Substrates do gálio
o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu bolachas verdes da epi-bolacha PSS do diodo emissor de luz epi-bolachas do molde de 2inch 4inch uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-... Veja mais
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China Molde de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN na bolacha da AlN-Em-safira da EPI-bolacha da safira à venda

Molde de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN na bolacha da AlN-Em-safira da EPI-bolacha da safira

Preço: by case
MOQ: 5pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:molde gan, molde do aln
molde de 2inch AlN na safira ou sic nas carcaças, bolacha do nitreto do gálio de HVPE, carcaças de AlN em GaN Molde de 2INCH AlN na bolacha da AlN-Em-safira da EPI-bolacha da safira Nós oferecemos carcaças monocristalinas de AlN no molde da safira do c-plano, que chamou a bolacha de AlN ou o m... Veja mais
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China Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser à venda

Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser

Preço: by case
MOQ: 1pc
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolacha do nitreto do gálio de HVPE, bolacha do nitreto do gálio de GaN, bolacha gan de HVPE
carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN, Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ... Veja mais
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China GaN-EM-silicone da bolacha do nitreto do gálio de 300mm para o micro diodo emissor de luz do poder à venda

GaN-EM-silicone da bolacha do nitreto do gálio de 300mm para o micro diodo emissor de luz do poder

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Realçar:Bolacha do nitreto de alumínio de Epi do si, Micro bolacha do arsenieto de gálio do diodo emissor de luz, bolacha do nitreto do gálio de 300mm
EPI-WAFERS GAN-ON-SI de 8 polegadas, 12 polegadas e 6 polegadas para aplicação de micro-LED de RF 8 polegadas 100mm 150mm 200mm 300mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para aplicação de energia Wafer epitaxial GaN (GaN EPI em Silício)O nitreto de gálio (GaN) tem sido amplamente usado em dispositivos de ene... Veja mais
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China as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha à venda

as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha

Preço: usd150.00
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 1-4week;
Marca: ZMSH
Realçar:Bolacha do diodo emissor de luz Epi de GaN, Bolacha do diodo emissor de luz Epi da safira, Bolacha do arsenieto de gálio de 6 polegadas
o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu a epi-bolacha PSS para o HEMT Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com... Veja mais
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China Semicondutor ereto livre GaN Substrates da bolacha do nitreto do gálio à venda

Semicondutor ereto livre GaN Substrates da bolacha do nitreto do gálio

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:Bolacha do nitreto do gálio do semicondutor, PIN Semiconductor Wafer, GaN Substrates Gallium Wafer
bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças livres para o applicaion do diodo emissor de luz, microplaquetas de GaN da posição de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN 2inch GaN--GaN em bolachas do PIN em carcaças autônomas de GaN Aproximadamente GaN--GaN na c... Veja mais
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China Bolacha do nitreto do gálio da bolacha de GaN da eficiência de poder superior para a energia - iluminação eficiente à venda

Bolacha do nitreto do gálio da bolacha de GaN da eficiência de poder superior para a energia - iluminação eficiente

Preço: by case
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmsh
Realçar:carcaça gan, molde do aln
bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças eretas livres para o applicaion do diodo emissor de luz, microplaquetas de GaN de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN Sobre a característica de GaN introduza O aumento da procura para capacidades demanipulação de... Veja mais
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