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Chip de memória da gole

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China A memória do computador de Samsung GDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGA lasca a velocidade 8GB à venda

A memória do computador de Samsung GDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGA lasca a velocidade 8GB

Preço: Negotiation
MOQ: 100PCS
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
Samsung GDDR5 256Kx32-25 (K4G80325FB-HC25) BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 sets the standard in achieving vibrant power-efficient performance in VGA cards, game consoles and high performance computing (HPC). Item Details: Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 8.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Pac... Veja mais
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China tempo longo do chip de computador SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C da gole de 8G Denisty à venda

tempo longo do chip de computador SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C da gole de 8G Denisty

Preço: Nigotiation
MOQ: 100pcs
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C 256*32 memory chip Product Specifications: Part No. Den. Org. Vol Ref. Speed Power PKG Product Status H5GC4H24AJR 4Gb x32 1.35V/1.5V 16K Ref. R0C/T2C Normal Power FCBGA Mass production H5GQ4H24AJR 4Gb x32 1.55V/1.35V 16K Ref. R4C Normal Power FCBGA Mass production... Veja mais
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China 7,0 apresse a densidade do chip de memória K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G da GOLE dos Gbps à venda

7,0 apresse a densidade do chip de memória K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G da GOLE dos Gbps

Preço: Negotination
MOQ: 100PCS
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 swiftly achieves video and 3D graphics-intensive performance, with a data rate nearly three times faster than GDDR3. Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 7.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Package 170FBGA Product Status Mass Produc... Veja mais
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China H5TC4G63CFR - módulo da gole do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da GOLE de PBAR DDR3 à venda

H5TC4G63CFR - módulo da gole do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da GOLE de PBAR DDR3

Preço: Negotiation
MOQ: one package
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 DRAM Memory ( 256MX16, CMOS, PBGA96) The parts are a 4Gb low power Double Data Rate III (DDR3L) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density, high bandwidth and low power operation at 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM provides ... Veja mais
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China Chip de memória FBGA170 de K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 à venda

Chip de memória FBGA170 de K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5

Preço: Negotiation
MOQ: 1pacakge
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 Memory chip BGA170 Package Performance Parameters: Veja mais
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China Montagem V de 200MHz 2,4 - 2,7 da superfície de Mbit da memória 256 de SDRAM do chip de memória da GOLE HY5DU561622FTP-5 à venda

Montagem V de 200MHz 2,4 - 2,7 da superfície de Mbit da memória 256 de SDRAM do chip de memória da GOLE HY5DU561622FTP-5

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
HY5DU561622FTP-5 DRAM Memory Chip SDRAM Memory 256Mbit Surface Mount, 200MHz, 2.4 → 2.7 V Attribute Value Memory Size 256Mbit Organisation 16M x 16 bit Data Rate 200MHz Data Bus Width 16bit Number of Bits per Word 16bit Number of Words 16M Mounting Type Surface Mount Package Type TSOP Pin Count 66 D... Veja mais
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China Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC à venda

Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
Dram Memory Chip H5TQ4G63CFR-RDC DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96 The H5TQ4G63 is a 4,294,967,296-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchro... Veja mais
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China Armazenamento da memória do chip de memória K4B4G1646E-BCMA 4gb Ddr3 1866mhz 512MB da GOLE à venda

Armazenamento da memória do chip de memória K4B4G1646E-BCMA 4gb Ddr3 1866mhz 512MB da GOLE

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, chip de computador da gole
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BCMA 4Gb DDR3-1866MHz,512MB Memory Chip Storage Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1866 Mbps Voltage 1.5 V Temp. 0 ~ 85 °C Package 96FBGA Product Status Mass Production Veja mais
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China Armazenamento da memória de Ram do chip de memória H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3 da GOLE para a alta velocidade do portátil à venda

Armazenamento da memória de Ram do chip de memória H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3 da GOLE para a alta velocidade do portátil

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
DRAM Memory Chip H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8Gb LPDDR3 (x32) Memory Chip Storage Specifications Veja mais
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China Memória de Ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb para o armazenamento dos computadores de secretária LPDDR3 BGA178 à venda

Memória de Ram de H9CCNNN8JTALAR 8Gb para o armazenamento dos computadores de secretária LPDDR3 BGA178

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:chip de computador da gole, memória de ram CI
DRAM Memory Chip H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 Memory Chip Storage​ H9CCNNN8JTALAR Features: [ FBGA ] Operation Temperature - -30'C ~ 105'C Packcage - 178-ball FBGA - 11.0x11.5mm2, 1.00t, 0.65mm pitch - Lead & Halogen Free [ LPDDR3 ] VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.2V (1.... Veja mais
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China Chip de memória de GOLE de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, armazenamento da microplaqueta de Ram do computador de LPDDR4 BGA200 à venda

Chip de memória de GOLE de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, armazenamento da microplaqueta de Ram do computador de LPDDR4 BGA200

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, chip de computador da gole
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Features: VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2 and VDDCA = 1.1V (1.06V to 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V to 0.65V) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command and ad... Veja mais
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China Memória Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA de SAMSUNG 8G do Ram da memória GDDR6 interna à venda

Memória Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA de SAMSUNG 8G do Ram da memória GDDR6 interna

Preço: Negociation
MOQ: 10PCS
Prazo de entrega: 3-5days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
GDDR6 SAMSUNG 8G 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA-Memory Storage GDDR6 supports the widest range of applications, from accelerators for high-performance computing, to workstations, consoles and laptops, offering an exceptional combination of power, bandwidth and density in the industry. Specification: D... Veja mais
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China PESO do chip de memória MT53B384M64D4NK-062 da GOLE SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz à venda

PESO do chip de memória MT53B384M64D4NK-062 da GOLE SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
Dram Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT:A SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz PCN Obsolescence/ EOL Mult Dev EOL 2/May/2016 Product Attributes Select All Categories Integrated Circuits (ICs) Memory Manufacturer Micron Technology Inc. Series - Packaging Tape & Reel (TR) Part ... Veja mais
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China Chip de memória GDDR5 SGRAM 1.5V 170-Pin FBGA de 4G-Bit 128M x 32 da GOLE K4G41325FC-HC03 à venda

Chip de memória GDDR5 SGRAM 1.5V 170-Pin FBGA de 4G-Bit 128M x 32 da GOLE K4G41325FC-HC03

Preço: Negotiation
MOQ: 1 piece
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
DRAM Memory Chip K4G41325FC-HC03 ,GDDR5 SGRAM 4G-Bit 128M x 32 1.5V 170-Pin FBGA Performance Parameters: Data Bus Width: 32bit Density: 4GB Mounting : Surface Mount Number of Banks: 16 Number of Bits per Word: 32bit Number of I/O Lines: 32bit Operating Supply Voltage:1.5V Organization: 128Mx32 Pin C... Veja mais
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China Chip de memória K4B4G1646E-BYK0 da GOLE - DDR3L SDRAM 1.5V 96-Pin FBGA de 4Gbit 256M x 16 Mbps 1600 à venda

Chip de memória K4B4G1646E-BYK0 da GOLE - DDR3L SDRAM 1.5V 96-Pin FBGA de 4Gbit 256M x 16 Mbps 1600

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA It was developed in 2005, Samsung’s industry-first DDR3 is the most used system solution, from PCs and home appliances, to automotive and medical devices. Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1600 Mbps Voltage 1.... Veja mais
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China Chip de memória da GOLE, armazenamento do chip de memória de K3RG3G30MM-MGCH 3gb Lpddr3 à venda

Chip de memória da GOLE, armazenamento do chip de memória de K3RG3G30MM-MGCH 3gb Lpddr3

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, chip de computador da gole
DRAM Memory Chip K3RG3G30MM-MGCH 3GB LPDDR Memory Chip Feature: Lifecyle :Active EU RoHS :Unknown EU RoHS Version:2002/95/EC Description: M-DIE LOW POWER DDR4 DRAM 24GB DENSITY Taxonomy Memory > Memory Chips > DRAM Chip Introduction Date:2016-01-19 00:00:00 ECCN:EAR99 Supplier Cage Code:1542F ... Veja mais
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China Chip de memória 512Mb DDR2 SDRAM da GOLE de HY5PS12821CFP-C4-C à venda

Chip de memória 512Mb DDR2 SDRAM da GOLE de HY5PS12821CFP-C4-C

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:chip de computador da gole, memória de ram CI
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China Chip de memória da GOLE de H9HCNNNBUUMLHR, Ram da memória 16gb para o computador pessoal LPDDR4 BGA200 à venda

Chip de memória da GOLE de H9HCNNNBUUMLHR, Ram da memória 16gb para o computador pessoal LPDDR4 BGA200

Preço: Negotiation
MOQ: 1 package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, memória de ram CI
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Specifications H9HCNNNBUUMLHR Features · VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command a... Veja mais
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China Memória de Ram 4gb externo EDW4032BABG-70-F-D (128 palavras X 32bits) GDDR5 SGARM à venda

Memória de Ram 4gb externo EDW4032BABG-70-F-D (128 palavras X 32bits) GDDR5 SGARM

Preço: Negotiation
MOQ: 1package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:chip de computador da gole, memória de ram CI
Dram Memory Chip EDW4032BABG-70-F-D (128 Words X 32bits ) 4G bits GDDR5 SGARM SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.75GHz 170-FBGA (12x14) Basic Description: Item Number EDW4032BABG-70-F-D MFG MICRON Packaging TRAY PACKAGE Product Attributes Categories Integrated Circuits (ICs) Memory E... Veja mais
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China A memória do computador de EDS2516ADTA-75-E lasca (16M exprime X 16bits) os bocados RDA SDRAM de 256M à venda

A memória do computador de EDS2516ADTA-75-E lasca (16M exprime X 16bits) os bocados RDA SDRAM de 256M

Preço: Negotiation
MOQ: 1package
Prazo de entrega: 3-5 work days
Realçar:memória de acesso aleatório dinâmica, chip de computador da gole
DRAM Memory Chip EDS2516ADTA-75-E (16M words X 16bits) 256M bits DDR SDRAM Feature: Veja mais
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