Bolacha do nitreto do gálio

8 micro diodo emissor de luz da polegada AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For

Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas

Dispositivo livre de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder da posição

bolachas do HEMT do molde AlGaN/GaN do FSS AlN de 4inch Dia100mm GaN Template NPSS

O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser

Categoria 0.4mm Gan Wafer ereto livre de uma pesquisa de 4 polegadas para semicondutores

Bolacha personalizada do nitreto do gálio do tamanho 5x10mm M Axis Free Standing HVPE

O Fe do si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio exposição da projeção do laser de 2 POLEGADAS

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

carcaças da safira 350um do molde 430um do nitreto de alumínio de AlN da espessura 5um sic

2 bolacha do nitreto do gálio III de 4 polegadas 4-5 Um de 0,43 milímetros da safira carcaças sic

III - Nitreto bolacha ereta livre de um GaN de 2 POLEGADAS para o dispositivo de poder da exposição da projeção do laser

a bolacha HVPE do nitreto do gálio de 5x5/10x10 milímetro livra o molde ereto da microplaqueta industrial

2 bolacha do nitreto do gálio da polegada DSP SSP moldes Epitaxial de um GaN das carcaças da safira da linha central

2 polegadas 4 polegadas baseado em GaN LED azul verde cultivado em plano ou PPS safira MOCVD DSP SSP

8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N tipo P tipo de personalização semicondutor RF LED

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics And LEDs

Wafers InP 6'4'', Orientação: 111 100, SSP DSP, Wafer semicondutor InP de alta pureza

InP Wafers SSP DSP VGF Wafers tipo N tipo P tipo InP Alta mobilidade eletrônica Alta condutividade térmica

2" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-Em-SIC