Bolacha do nitreto do gálio
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SSP DSP VGF N-Type P-Type InP Wafers Alta mobilidade eletrônica / condutividade térmica
Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Realçar:DSP Wafer de fósforo de índio, Wafers InP do tipo N, Wafers InP de alta mobilidade eletrônica
Descrição do produto:
O nossoInPAs placas de fosfeto de ínio são conhecidas pela sua baixa densidade de defeito e alto desempenho, sendo amplamente utilizadas na optoeletrónica e na microeletrónica.Estas bolinhas são feitas usando técnicas de crescimento de precisão, garantindo a alta pureza do mat... Veja mais
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GaN-Em-safira livre GaN-Em-SIC do dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder da posição
Preço: 1000~3000usd/pc
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:Carcaça ereta livre do nitreto do gálio, HVPE GaN Epi Wafer, Dispositivo do pó da bolacha do arsenieto de gálio
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas,Wafer de GaN para LED,Wafer de Nitreto de Gálio semicondutor para ld,Modelo de GaN,Wafer de GaN mocvd,Substratos de GaN em pé livre por tamanho personalizado,Wafer de GaN de pequeno tamanho para LED,mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mmWafer GaN de 5x5 mm, 1... Veja mais
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bolachas do HEMT do molde AlGaN/GaN do FSS AlN de 4inch Dia100mm GaN Template NPSS
Preço: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, bolachas do fosforeto do gálio
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mo... Veja mais
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8 micro diodo emissor de luz da polegada AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For
Preço: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:GaN Gallium Nitride Wafer, Bolacha do nitreto de alumínio para o micro diodo emissor de luz, Bolacha do arsenieto de gálio de 8 polegadas
8 polegadas 6 polegadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para Micro-LED para aplicação de RF
Características da wafer GaN
III-nitreto ((GaN,AlN,InN)
O Nitruro de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.
Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabric... Veja mais
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carcaças da safira 350um do molde 430um do nitreto de alumínio de AlN da espessura 5um sic
Preço: by case
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, bolachas do fosforeto do gálio
molde do nitreto de alumínio de AlN da espessura de 2inch 5um 430um em carcaças do sapphire/350um sic
Característica da bolacha de AlN
Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)
molde de 2inch AlN na safira ou sic nas carcaças, bolacha do nitreto do gálio de HVPE, carcaças de AlN em GaN
Nós oferecemos ... Veja mais
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a bolacha HVPE do nitreto do gálio de 5x5/10x10 milímetro livra o molde ereto da microplaqueta industrial
Preço: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, bolachas do fosforeto do gálio
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas,Wafer de GaN para LED,Wafer de Nitreto de Gállio semicondutor para ld,Modelo de GaN,Wafer de GaN mocvd,Substratos de GaN em pé livre por tamanho personalizado,Wafer de GaN de pequeno tamanho para LED,mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mmWafer GaN de 5x5 mm, ... Veja mais
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Wafer GaN de 4 polegadas de grau de pesquisa 0,4 mm para semicondutores
Preço: 1000~2500usd/pc
MOQ: 2pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolacha gan ereta livre, bolacha gan de 0.4mm, semicondutores gan na bolacha de silicone
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas,Wafer de GaN para LeD,Wafer de Nitreto de Gállio semicondutor para ld,Modelo de GaN,Wafer de GaN mocvd,Substratos de GaN independentes por tamanho personalizado,Wafer GaN de pequeno tamanho para LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN... Veja mais
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Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas
Preço: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolacha de Epi do si do diâmetro 200mm, Bolacha de Epi do si de 6 polegadas, Bolacha do arsenieto de gálio de AlGaN
8 polegadas 6 polegadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para Micro-LED para aplicação de RF
Características da wafer GaN
III-nitreto ((GaN,AlN,InN)
O Nitruro de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.
Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabrica... Veja mais
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Orientação111 100 SSP DSP Alta pureza InP Wafer de semicondutores 6'4' InP Wafers
Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Realçar:SSP Wafer de fosfeto de ídio, Wafer de semicondutor InP de alta pureza, Wafers de 4' InP
Descrição do produto:
O nossoInPAs placas semicondutoras (fosfeto de ínio), conhecidas por suas excepcionais propriedades eletrônicas e optoeletrônicas, encontraram amplas aplicações em comunicações, óptica e eletrônica.Utilização de tecnologias avançadas de crescimento e processamento, asseguramos... Veja mais
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cristal ereto livre da bolacha HVPE GaN do nitreto do gálio de 0.4mm único para o dispositivo
Preço: 1000~2500usd/pc
MOQ: 2pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:0.4mm HVPE GaN Wafer, Posição livre GaN Single Crystal, Gálio GaN Single Crystal
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do... Veja mais
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4 molde de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN da polegada
Preço: 150-250usd/pc
MOQ: 3pcs
Prazo de entrega: 1-3weeks
Marca: zmkj
Realçar:Sapphire Aluminum Nitride Wafer, Bolacha do arsenieto de gálio de AlN, Bolacha do diodo emissor de luz do nitreto do gálio
molde da Epi-bolacha 1-5um AlN da AlN-em-safira de 2inch 4inch
GaN-em-si Epiwafer de Epiwafer do si de 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-em-hora para o Micro-diodo emissor de luz para a aplicação do RF
GaN Wafer Characteristic
Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)
O nitreto do gálio é um tipo de sem... Veja mais
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O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser
Preço: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha do nitreto do gálio do dispositivo do laser, Bolacha Undoped do nitreto do gálio, Bolacha Undoped de Gan
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gáli... Veja mais
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Bolacha personalizada do nitreto do gálio do tamanho 5x10mm M Axis Free Standing HVPE
Preço: 500usd/pc
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolacha do nitreto do gálio de HVPE, Bolacha de M Axis Gallium Nitride, Bolacha gan de M Axis
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do... Veja mais
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O Fe do si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio exposição da projeção do laser de 2 POLEGADAS
Preço: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, Bolacha do arsenieto de gálio
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do... Veja mais
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2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:Bolacha do nitreto do gálio de 2 polegadas, Sapphire Substrates Gallium Nitride Wafer, Diodo emissor de luz GaN Wafer
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mo... Veja mais
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2 bolacha do nitreto do gálio III de 4 polegadas 4-5 Um de 0,43 milímetros da safira carcaças sic
Preço: by case
MOQ: 2pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, Bolacha do arsenieto de gálio
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN, carcaças autônomas pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN de GaN do tamanho do nitreto do gáli... Veja mais
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III - Nitreto bolacha ereta livre de um GaN de 2 POLEGADAS para o dispositivo de poder da exposição da projeção do laser
Preço: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, Bolacha do arsenieto de gálio
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN, carcaças autônomas pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN de GaN do tamanho do nitreto do gáli... Veja mais
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2 bolacha do nitreto do gálio da polegada DSP SSP moldes Epitaxial de um GaN das carcaças da safira da linha central
Preço: by case
MOQ: 25pcs
Prazo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Realçar:bolacha gan, Bolacha do arsenieto de gálio
bolacha da safira da R-linha central 2inch para o teste epi-pronto, janelas óticas da safira, carcaça epi-pronta da safira da R-linha central 2inch
1. Descrição A safira é um dos materiais os mais duros, e possui a transmissão muito boa durante a escala do espectro visível e próximo do IR. É... Veja mais
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GaN Gallium Nitride Wafer Alta Mobilidade Eletrônica Dispositivos RF Optoelectronics E LEDs
Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Realçar:Optoelectronics Gallium Nitride Wafer, LEDs GaN Wafer, Dispositivos de RF Wafer de nitreto de gálio
GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics e LEDs
Abstract de Gallium Nitride Wafer de GaN
As placas de nitreto de gálio (GaN) surgiram como uma tecnologia fundamental em várias indústrias, devido às suas propriedades materiais únicas.e excepcional estabilidade térmi... Veja mais
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Modelo em filmes epitaxiais AlN de substrato de wafers de diamante
Preço: by case
MOQ: 5pcs
Prazo de entrega: 2-6weeks
Marca: zmkj
Realçar:Em substrato de bolachas de diamante, AlN Epitaxial Films, bolachas de diamante, em bolacha de safira de diamante
AlN em wafers de modelo de diamante AlN filmes epitaxiais em substrato de diamante AlN em safira /AlN-on-SiC/ AlN-ON silício
Bem-vindo ao Conheça o Modelo AlN no Diamond~~
Vantagens do AlN• O gap de banda direto, largura de gap de banda de 6,2 eV, é um importante material ultravioleta profun... Veja mais
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