Semicondutores discretos
(21)
KBL410 KBL610 Retificador de ponte de silício KBPC610 Produtos semicondutores discretos
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: MDD
Realçar:Retificador de ponte de silício KBL610, Retificador de ponte de silício KBL410, Produtos semicondutores discretos KBPC610
KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 Série KBL
Retificadores de ponte de diodos de ponte de silício - Produtos semicondutores discretos Transistores
Descrição:
Retificador de ponte de silicone de orifício passante, série KBL, tipo KBL410, 4 pinos, tensão reversa 1000V m... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Retificador
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Vishay General Semiconductor
Realçar:V20PWM45 Vishay Semiconductor, Vishay Semiconductor TMBS Trinch, MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Alta densidade de corrente TMBS Trincheira MOS Barreira Schottky Retificador DPAK Produtos semicondutores discretos V20PWM45:Retificador de montagem em superfície de alta densidade de corrente TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra Low VF = 0,35 V em I... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP Transistor Bipolar Discreta Semicondutores
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Realçar:TIP142P NPN PNP transistor, TIP122 TIP127 NPN PNP transistor, semicondutores discretos bipolares
TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Complementar NPN - transistores PNP Produtos semicondutores discretos bipolares
Transistores de potência complementares
Descrição:
Os dispositivos são fabricados em tecnologia planar com layout de “ilha base”.Os transistores resultantes mostram um d... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Retificador de ponte de fogão de indução D15XB100 15A 1000V SIP4
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: SHINDENGEN
Realçar:Retificador de ponte de fogão de indução D15XB100, retificador de ponte de fogão de indução 15a 1000 v, retificador de ponte SIP4 para fogão de indução
D15X100 D15XB100 SHINDENGEN Ponte Retificadores 15A 1000V SIP4 para fogão de indução
Especificações Técnicas do Produto
Número da peça
D15X100
Número da peça básica
D15XB100
RoHS da UE
Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA)
EAR99
Status da peça
Ativo
HTS
8541.29.00.9... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Semicondutores discretos 900V 6A
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: FUJI
Realçar:FMH06N90E Semicondutores discretos, FMV06N90E Semicondutores discretos, 06N90E FMV06N90E
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A a 220F Componentes eletrônicos
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A a 220F
Especificações Técnicas do Produto
Número da peça
FMV06N90E FMH06N90E
Número da peça básica
06N90E
RoHS da UE
Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA)
EAR... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
GT50N322A 50N322 IGBT N Canal Discreto Semicondutores Através de Furo de Montagem
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Toshiba America Electronic Components
Realçar:50N322 IGBT N Canal, GT50N322A IGBT N Canal, IGBT N Canal Discreto Semicondutores
GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes Eletrônicos IGBT Canal N 1000V 3 Pinos TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS
Especificações Técnicas do Produto
Número da peça
GT50N322A
Número da peça básica
50N322
RoHS da UE
Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA)
EAR99
Status da p... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Realçar:Infineon HEXFET Power MOSFET, MOSFET N Canal 55V 30A, 55V 30A HEXFET Power MOSFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Retificador Internacional IOR HEXFET MOSFET Canal N 55V 30A DPAK Produtos semicondutores discretos
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Montagem em Superfície D-Pak
Descrição
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para o... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Realçar:100V 130A FET HEXFET Power Mosfet, IRFB4310PBF, IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistores N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrição:
Este HEXFET® Power MO... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Realçar:Transistor de canal N IRF1404ZPBF, 180A 200W HEXFET FET MOSFET, Transistor de canal N 180A 200W
Transistores IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
N-Canal 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB Especificação:
Categoria
Produtos de semicondutores discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
BTA16-800CW BTA16 TRIAC Tiristor 800V 16A Semicondutores discretos
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Realçar:Semicondutores discretos 800V 16A, BTA16 TRIAC Tiristor, BTA16-800CW BTA16
BTA16-800CW Padrão TRIAC 800 V 16 A Orifício de passagem TO-220 Produtos semicondutores discretos Tiristores --Orifício de passagem padrão TRIAC 800 V 16 A TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Snubberless™, nível lógico e 16 A Triacs Datasheet padrão Formulários• Versões Snubberless (BTA/BTB...W e... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Realçar:Transistor IGBT IHW30N160R2, Semicondutor de potência H30R1602, IHW30N160R2
IHW30N160R2 Transistores IGBTs H30R1602 Série de comutação suave Semicondutores de potência IC IHW30N160R2FKSA1Série de comutação suave
Formulários:
• Cozimento Indutivo
• Aplicativos de comutação suave
Descrição:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT com diodo de corpo monolítico
Recurs... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
IXYS IXGH24 Semicondutores discretos IGBT de alta tensão IXGH24N170
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: IXYS
Realçar:IXGH24 IGBT de alta tensão, IXYS IGBT de alta tensão, semicondutores discretos IGBT
IXGH24N170 IXYS IGBT de Alta Tensão IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Produtos semicondutores discretos
Especificação: IGBT de alta tensão NPT 1700 V 50 A 250 W através do orifício TO-247AD
Número da peça
IXGH24N170
Categoria
Produtos de semicondutores discretos
... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Semicondutores discretos BJT do transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Nexperia USA Inc.
Realçar:PBHV8540X, PBHV8540, Transistor bipolar de Nexperia BJT
Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UM NPN transistor de alta tensão de NPN um baixo VCEsat (BISS)
Transistor de alta tensão discreto dos produtos-Um NPN baixo VCEsat do semicondutor (BISS)
Descrição:
Descoberta de alta tensão de NPN baixa VCEsat no transisto... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Realçar:FETs dos transistor de 49V 80A, FETs dos transistor do MOSFET do N-canal
FETs dos transistor do MOSFET 49V 80A do N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET do poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Sua dissipação de poder máxima é 300000 mW.
A fim assegurar as peças não são danificados pelo empacotamento de maioria, este produto vem no tubo que empacota p... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Vishay Semiconductor
Realçar:Mosfets do poder SIHF10N40D-E3, Transistor do canal de N, Semicondutores discretos SIHF10N40D-E3
O transistor do canal dos mosfets N do poder SIHF10N40D-E3 opera-se no modo do realceA dissipação de poder máxima do SIHF10N40D-E3 de Vishay é 33000 mW. Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.
Este transistor do MOSFET tem uma temperatura de funcionamento mínima do °C -5... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
IRF1404 IRF1404PBF N canal de alimentação MOSFET 40V semicondutores discretos
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: INFINEON
Realçar:IRF1404PBF N canal de potência MOSFET, IRF1404 N canal de potência MOSFET, MOSFET 40V semicondutores discretos
IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V MOSFET de alimentação de canal N único em um pacote TO-220
Sobre IRF1404PBF:
Resumo dos recursos
MOSFET de alimentação de canal N único IRF1404 40V em um pacote TO-220
Estrutura celular planar para SOA amplo
Otimizado para maior disponibilidade de p... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Amplificador controlado IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS do ônibus de I2C
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Philip
Realçar:Amplificador IC de DF8546JV/N2Z, Amplificador IC de TDF8546J, Amplificador controlado IC do ônibus
Amplificador controlado IC da eficiência do ônibus de TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C melhor
Sumário das características
O TDF8546 é uma de uma nova geração quadrilátero complementar de amplificadores de potência audio Ponte-amarrados da carga (BTL) pretendidos para aplicaçõ... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 IGBT DISCRETO por Infineon Technologies
Preço: Negotiated
MOQ: 10
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies
Realçar:K75T60 Infineon Igbt discreto, IKW75N60TXK Infineon Igbt discreto
IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 IGBT DISCRETO por Infineon Technologies
IGBT em TRENCHSTOP™ e a tecnologia de Fieldstop com o emissor antiparalelo da recuperação rápida macia controlaram-no diodo
Aplicações:
Conversores de frequênciaFonte de alimentação ininterrupto
Número da peça mais sim... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
Componentes eletrônicos de módulo de poder de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
Preço: Negotiated
MOQ: 10pieces
Prazo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies
Realçar:Módulo de poder de BSM50GD120DN2 IGBT, Módulo de poder de BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
Componentes eletrônicos de módulo de poder de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
BSM 50 GD 120 DN2 SeriseDescrição:• Módulo de poder
• completo-ponte de 3 fases
• Incluindo diodos rápidos da livre-roda
• Pacote com placa de base isolada do metal
Especificação do módulo de poder de BSM50G... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet
PM080P150CG Powercube Mosfet de tensão média
Preço: Negotiated
MOQ: 10pcs
Prazo de entrega: Negotiable
Citações de peças eletrônicas Powercube online em icschip.com.
PM080P150CG Powercube Mosfet de tensão média para cuidados de saúde, carregador sem fio
Aplicações:
serviços de saúde, carregador sem fio
PSF70060B is PowerCubeSemi’s second generation of high voltage Super Junction MOSFET with... Veja mais
➤ Visita Local na rede Internet