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China Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção à venda

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3 month
Marca: Ganova
Realçar:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Veja mais
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China sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos à venda

sistema de recozimento térmico rápido de 150mm com três gás do processo dos grupos

Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: 8-10week days
Marca: GaNova
Realçar:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Veja mais
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China Categoria eletrônica único Crystal Diamond de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm, N Content<100ppb, condutibilidade térmica de XRD<0.015º à venda

Categoria eletrônica único Crystal Diamond de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm, N Content<100ppb, condutibilidade térmica de XRD<0.015º

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
diamante de cristal da categoria eletrônica de 10*10mm2*0.3mm único, índice de N<100ppb> Vista geralas bolachas do diamante do Único-cristal permitem avanços críticos nos ambos tecnologia do poder do RF usada para as comunicações 5G e satélites; assim como na eletrônica de poder usada nos... Veja mais
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China Categoria eletrônica único Crystal Diamond de JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm, N Content<100ppb, condutibilidade térmica de XRD<0.015º à venda

Categoria eletrônica único Crystal Diamond de JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm, N Content<100ppb, condutibilidade térmica de XRD<0.015º

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:10*10mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
Diamante de cristal da categoria eletrônica de JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm único, índice de N<100ppb> Vista geral O diamante do CVD tem sido reconhecido por muito tempo como o material final em uma grande variedade de aplicações devido a suas qualidades extremas. Para o CVD do dia... Veja mais
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China GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial à venda

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   As propriedades elétricas do GaN dopado com Mg do tipo p são investigadas através de medidas de efeito Hall em temperatura variável.Amostras com uma gama de concentrações d... Veja mais
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China JDCD05-001-005 5*5mm2*0,5mm Diamante monocristal de grau eletrônico, Conteúdo N à venda

JDCD05-001-005 5*5mm2*0,5mm Diamante monocristal de grau eletrônico, Conteúdo N

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:XRD<0.015º Single Crystal Diamond
JDCD05-001-005 5*5mm2*0,5mm diamante de cristal único de grau eletrônico, conteúdo N <100ppb, XRD <0,015º Condutividade térmica 1000-2200 para dissipador de calor   Visão geral A alta condutividade térmica do diamante o tornou útil em aplicações de gerenciamento térmico.Sua ampla faixa de t... Veja mais
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China O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm à venda

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Veja mais
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China 625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada à venda

625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Veja mais
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China C-plano Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch à venda

C-plano Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:6inch Sapphire Substrate Wafer
C-plano Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch As safiras são em segundo somente aos diamantes na durabilidadeO diamante é o elemento natural o mais durável na terra e nos graus como uns 10 de 10 na escala de Mohs da dureza mineral. As safiras são igualmente muito duráveis e florescen... Veja mais
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China JDCD05-001-007 Substratos de Diamante CVD à venda

JDCD05-001-007 Substratos de Diamante CVD

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:CVD Diamond Substrates, CVD Diamond Substrates 007
JDCD05-001-007 CVD Diamond Substrates Vista geral O diamante é um material original que exiba frequentemente as propriedades extremas comparadas a outros materiais. Descoberto aproximadamente 30 anos há, o uso do hidrogênio no depósito de vapor químico plasma-aumentado (CVD) permitiu o crescim... Veja mais
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China Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch à venda

Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone Vista geral O nitreto do gálio (GaN) está criando um deslocamento inovativo durante todo o mundo da eletrônica de poder. Por décadas, os MOSFETs silicone-baseados (transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal) fora... Veja mais
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China 2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde à venda

2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Azul-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone O nitreto do gálio é uma tecnologia de semicondutor usada para o poder superior, aplicações de alta frequência do semicondutor. O nitreto do gálio exibe diversas características que fazem melhor do que o GaAs e o silicone para vário... Veja mais
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China JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 3 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos à venda

JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 3 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Integrated Circuits Silicon Wafer, Discrete Devices Silicon Wafer
Dispositivos MEMS wafer de silício de 3 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos   Visão geralBolachas de silício atuam como substrato para dispositivos microeletrônicos e são especialmente úteis na construção de circuitos eletrônicos devido à sua condutiv... Veja mais
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China Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-003 4-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos à venda

Dispositivos da bolacha de silicone MEMS de JDCD06-001-003 4-Inch, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos

Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:MEMS Devices Silicon Wafer
dispositivos da bolacha de silicone 4-inch MEMS, circuitos integrados, carcaças dedicadas para dispositivos discretos Uma bolacha de silicone é um material essencial para os semicondutores de fabricação, que são encontrados em todos os tipos dos dispositivos eletrónicos que enriquecem nossas ... Veja mais
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China Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF à venda

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: Nanowin
Realçar:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm   Visão geral Bolachas epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) (epi-wafers).Transistores de alta mobilidade eletrônica GaN (HEMT) wafers em diferentes substratos, como substrato de silíc... Veja mais
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China laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm à venda

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN Por que use GaN Wafers? O nitreto do gálio na safira é o material ideal para a amplificação de rádio da energia. Oferece um número de benefícios sob... Veja mais
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China JDCD08-001-007 8 polegadas C-Plane Safira Substrato Wafer à venda

JDCD08-001-007 8 polegadas C-Plane Safira Substrato Wafer

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: Negotiable
Realçar:8inch Sapphire Substrate Wafer
JDCD08-001-007 6 polegadas C-Plane Safira Substrato Wafer Rubi e safiras são ambos feitos de corindo (óxido de alumínio - Al2O3).O corindo é uma das substâncias naturais mais duras conhecidas depois do diamante.Além disso, como o corindo é tão duro e resistente às intempéries, também pode ser encont... Veja mais
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China GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial à venda

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP＞0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   Por exemplo, GaN é o substrato que torna possíveis os diodos de laser violeta (405 nm), sem o uso de duplicação de frequência óptica não linear.Sua sensibilidade à radiação ioni... Veja mais
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China JDCD05-001-004 3*3mm2*0,5mm Diamante monocristal de grau eletrônico, Conteúdo N à venda

JDCD05-001-004 3*3mm2*0,5mm Diamante monocristal de grau eletrônico, Conteúdo N

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:3*3mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
JDCD05-001-004 3*3mm2*0,5mm diamante de cristal único de grau eletrônico, conteúdo N <100ppb, XRD <0,015º Condutividade térmica 1000-2200 para dissipador de calor   Visão geral Os diamantes CVD são diamantes reais.Embora cultivados em laboratório, os diamantes CVD são diamantes com qualidad... Veja mais
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China JDWY01-001-007 Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec à venda

JDWY01-001-007 Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: GaNova
Realçar:SSP AIN On Sapphire Wafer
Filme de 2 polegadas de espessura (4,5)um AIN em bolacha de safira, SSP,XRD FWHM de (002)≤160arcsec(102) ≤400arcsec Desinfecção UV, chip de LED   A safira é um material de uma combinação única de propriedades físicas, químicas e ópticas, que o tornam resistente a altas temperaturas, choque térmico... Veja mais
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