Freescale/NXP 3 canais Capacitive Touch Controller Ic Com Interface I2C MPR032EPR2
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Realçar:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Veja mais
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NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Transistores montados no chassi com ganho de 13dB
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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Veja mais
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Frequência 150 MHz NPN Transistor bipolar 80 mA Corrente máxima 50V Coletor de ruptura 100mW Panasonic SSSMini3-F1
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Veja mais
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Discreto NPN Transistor pré-biasado 100mA 50V Monte de superfície 200mW Potência Panasonic MINI3-G3-B - Descontinuado
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Veja mais
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1000W LDMOS Power RF FETs para Montador de Chassi 110V 1,03GHz Dual Transistors NXP USA Inc.
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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Veja mais
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Montador de superfície JFET Semicondutor 25V 15mA N Channel Discrete Components da NXP USA Inc.
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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Veja mais
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NXP USA Inc. Transistor PDTA144VM a granel ativo para aplicações de tensão
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Veja mais
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150MHz NPN Transistor pré-biasado 50V Montar de superfície de quebra Panasonic SMini3-F2 150mW Potência
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Veja mais
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FETs RF LDMOS 65V 23W 2.16-2.17GHz ganho de 13,5 dB - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Veja mais
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NXP USA Inc. PDTA14 Transistor bipolar discreto
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Veja mais
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Obsoleto NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Gain Chassis Mount Transistor
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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Veja mais
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Obsoleto NXP USA Inc. Transistores LDMOS 2.69GHz 15.6dB Ganho 28W Saída Montar Chassis
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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Veja mais
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Componentes eletrônicos Panasonic obsoletos UNR511 PNP Transistor pré-biasado para frequência de transição de 80MHz
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Veja mais
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Obsoletos NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N Canal TO-92-3 Transistores para aplicações de RF de 100MHz
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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Veja mais
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Transistor Bipolar Pré-Biasado 50V Voltagem de quebra 250mW Potência SMT3 Montador de superfície
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Veja mais
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Transistor pré-biasado SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Monte de superfície discreto
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Veja mais
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Superfície montada LDMOS RF FETs 65V 24W Potência de saída 1.88GHz Frequência configuração dupla NXP NI-780S-4L
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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Veja mais
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22W LDMOS RF FETs Transistores montados em chassi de 1,99 GHz - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Veja mais
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NXP USA Inc. 1,99 GHz 65 V LDMOS Chassis Mount RF FETs Transistor 24 W
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Veja mais
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Transistores semicondutores de montagem de chassi de 19 dB.
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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Veja mais
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