Semicondutor de alta potência

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China Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência à venda

Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência

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Marca: Lingxun
Realçar:LCS65R900 Super Junction MOSFET, 4A650V Super Junction MOSFET
Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência   Id:4A Vdss: 650 V Rdson-type ((@Vgs=10V): 840mÓ   Características: • Projeto de junção de alta densidade • Excelente carga de porta x RDS ((ON) Produto ((FOM)) • Ultra-baixa resistência • Confiáve... Veja mais
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China MOSFET de potência com resistência a altas temperaturas, baixa fuga e baixa capacidade de junção à venda

MOSFET de potência com resistência a altas temperaturas, baixa fuga e baixa capacidade de junção

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Marca: Lingxun
Realçar:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET
Descrição do produto: A alta eficiência é um atributo crucial para sistemas eletrónicos de alta potência, e o nosso produto foi concebido para o fornecer.que se traduz em custos energéticos reduzidosA elevada eficiência do produto torna-o uma escolha ideal para veículos eléctricos que necessitam d... Veja mais
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China Baixo vazamento Baixa capacidade de junção Alta temperatura Resistência Voltagem N Canal de energia Semicondutor à venda

Baixo vazamento Baixa capacidade de junção Alta temperatura Resistência Voltagem N Canal de energia Semicondutor

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Marca: Lingxun
Realçar:Low Junction Capacitance Power Semiconductor, High Temperature Resistance Power Semiconductor, Low Leakage Power Semiconductor
Descrição do produto: Os nossos semicondutores de alta tensão caracterizam-se pela sua alta luminosidade, capacidade de comutação rápida e gestão térmica robusta.tornando-os ideais para uso em ambientes exigentes que exigem resistência a altas temperaturas.Com alta eficiência e desempenho superior... Veja mais
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China Voltagem de baixa capacidade de junção IGBT para temperatura com baixa fuga à venda

Voltagem de baixa capacidade de junção IGBT para temperatura com baixa fuga

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Marca: Lingxun
Realçar:Temperature Voltage IGBT, Low Leakage Voltage IGBT, Low Junction Capacitance Voltage IGBT
Descrição do produto:O semicondutor de alta potência é particularmente útil em aplicações de pilha de carregamento para veículos elétricos, onde o IGBT de alta tensão é necessário para uma transferência eficiente de energia.Com a sua elevada eficiência, o semicondutor de alta potência é ideal para a... Veja mais
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China Potência de baixa capacidade de junção N canal semicondutor à venda

Potência de baixa capacidade de junção N canal semicondutor

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Marca: Lingxun
Realçar:Low Junction Capacitance Semiconductor
Descrição do produto: Um dos benefícios mais significativos dos semicondutores de potência de alta tensão é a sua capacidade de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente.Ferramentas elétricas, purificadores de ar e outras aplicações que exijam dispositivos discretos de alta tensão.Est... Veja mais
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China MOSFETs de baixa capacidade de junção tipo N para eficiência energética avançada à venda

MOSFETs de baixa capacidade de junção tipo N para eficiência energética avançada

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Marca: Lingxun
Realçar:High Temperature Resistance MOSFETs, Advanced Energy Efficient MOSFETs, Low Leakage MOSFETs
Descrição do produto: Uma das principais características dos semicondutores de alta tensão é a sua capacidade de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente.Isto faz com que sejam componentes essenciais nos sistemas de geração e distribuição de energia, onde contribuem para melhorar a e... Veja mais
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China Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N à venda

Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N

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Marca: Lingxun
Realçar:High Power Semiconductor N Channel, High Power N Channel, N Channel High Power Semiconductor
Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N   Características • Baixa taxa de entrada • RDS baixo ((on) por área de chip ((Low FOM) • Perda de comutação e condução muito baixa • Extremamente elevada robustez de comutação   Aplicações • Inversores solares • TV LCD/LED/PDP • Forn... Veja mais
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China 11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potência para carregador alternativo à venda

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potência para carregador alternativo

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Marca: Lingxun
Realçar:TO-252 MOSFET de alta potência, MOSFET de alta potência de comutação de carregadores, 650 V MOSFET de alta potência
11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potência para carregador alternativo   MOSFET de superjunção de canal N   Número da peça: LC65R380D   Embalagem:TO-252   Características principais Eu...D11A VDSS:650 V Tipo RDSON VGS=10V:340mΩ     Características • Adotar tecnologia avançada de trincheiras... Veja mais
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China TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ à venda

TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ

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Marca: Lingxun
Realçar:Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores, TO-220F Semicondutor de óxido metálico, Transistores de efeito de campo 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor   MOSFET de superjunção de canal N   Número da peça: LC60R280F   Embalagem:TO-220F   Características principais Eu...D- Não, não. VDSS:600 V Tipo RDSON VGS=10V:274mΩ     Características • Baixa taxa de entrada... Veja mais
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China Semicondutor de alta tensão de tipo N de alta potência com baixa fuga à venda

Semicondutor de alta tensão de tipo N de alta potência com baixa fuga

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Marca: Lingxun
Realçar:Semicondutores de alta potência de tipo N, Semicondutor de baixa vazagem de alta potência, Semicondutores de alta tensão de tipo N
Descrição do produto: Resistência à temperatura Voltagem de junção baixa Capacidade de baixa fuga N Semicondutor de potência Com baixo vazamento e baixa capacitância de junção, este semicondutor de tipo N é otimizado para aplicações de alta tensão.Sua capacidade de lidar com altas tensões e corrent... Veja mais
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China Semicondutor de baixa comutação de alta potência 15A 650V 238mΩ para conversores CC-DC à venda

Semicondutor de baixa comutação de alta potência 15A 650V 238mΩ para conversores CC-DC

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Realçar:Semicondutor de baixa comutação de alta potência, Semicondutor de alta potência 15A, Semicondutor de alta potência 650V
15A 650V 238mΩ Semicondutor de baixa comutação de alta potência para conversores DC-DC   MOSFET de superjunção de canal N   Número da parte: LC65R280D   Embalagem:TO-252   Características principais Eu...D- Não, não. VDSS:650 V Tipo RDSON VGS=10V:238mΩ     Características • Baixa taxa de entra... Veja mais
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China 19A 600V 160mΩ Semicondutor de alta potência para fontes de alimentação industriais à venda

19A 600V 160mΩ Semicondutor de alta potência para fontes de alimentação industriais

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Realçar:Semicondutor de alta potência de 600 V, 19A Semicondutor de alta potência, 160mΩ Semicondutor de alta potência
19A 600V 160mΩ Semicondutor de alta potência de comutação reduzida para fontes de alimentação industriais   MOSFET de superjunção de canal N   Número da parte: LC60R190D   Embalagem:TO-220F   Características principais Eu...D19A VDSS:600 V Tipo RDSON VGS=10V:160mΩ     Características • Reduçã... Veja mais
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China 20A 650V 150mΩ MOS de arrefecimento para fontes de alimentação em modo comutado à venda

20A 650V 150mΩ MOS de arrefecimento para fontes de alimentação em modo comutado

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Realçar:20A MOS frio, Fornecedores de alimentação alternados MOS frio, MOS de alta tensão de 650 V
20A 650V 150mΩ Estabilidade e uniformidade MOS frio para fontes de alimentação de modo comutado   MOSFET de superjunção de canal N   Número da parte: LC65R190F   Embalagem:TO-220F   Características principais Eu...D:20A VDSS:650 V Tipo RDSON VGS=10V:150mΩ     Características • RDS (acendido)... Veja mais
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China TO-252 Montador de superfície Semicondutor de alta potência 5A 500V 1.33Ω Para secador de cabelo à venda

TO-252 Montador de superfície Semicondutor de alta potência 5A 500V 1.33Ω Para secador de cabelo

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Realçar:Montador de superfície Semicondutor de alta potência, TO-252 Semicondutor de alta potência, Semicondutor de alta potência de 500 V
5A 500V 1.33Ω TO-252 Superfície montada Semicondutor de alta potência para secador de cabelo   MOSFET de potência de modo de aumento de N-Channel   Número da parte: CS5N50A5   Embalagem:TO-252   Características principais Eu...D5A VDSS:500 V Tipo RDSON VGS=10V: 1,33Ω     Características • Mud... Veja mais
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China MOSFET de alta potência de baixo vazamento N canal TO-220F TO-263C TO-247AC à venda

MOSFET de alta potência de baixo vazamento N canal TO-220F TO-263C TO-247AC

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Realçar:MOS de alta potência de canal N, MOSFET de alta potência TO-247AC, TO-263C MOSFET de alta potência
Descrição do produto: MOSFET de potência de baixa tensão e vazamento O semicondutor de alta potência de tipo N é um tipo de semicondutor que apresenta baixo vazamento e resistência a altas temperaturas.Sua capacidade de resistir a altas temperaturas torna-o adequado para uso em ambientes adversosO ... Veja mais
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China IGBT de alta potência de baixo vazamento N Channel para aplicações industriais à venda

IGBT de alta potência de baixo vazamento N Channel para aplicações industriais

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Realçar:N IGBT de alta potência, IGBT de alta potência industrial, IGBT industrial de canal N
Descrição do produto: IGBT de baixa tensão de vazamento para aplicações industriais O IGBT de potência de alta tensão, o motor de refrigeração de potência de alta tensão e os dispositivos discretos de alta tensão são alguns dos atributos-chave deste produto.com capacidades de comutação rápida e ges... Veja mais
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China Semicondutores de alta potência de canal N com baixa capacidade de junção de baixa vazamento à venda

Semicondutores de alta potência de canal N com baixa capacidade de junção de baixa vazamento

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Realçar:Semicondutores de alta potência de canal N, Semicondutores de baixa vazagem de alta potência, Semicondutores de potência de baixa capacidade de junção
Descrição do produto:N Canal Voltagem Baixa Fuga Baixa Capacidade de Junção Resistência a Alta Temperatura Semicondutor de PotênciaO nosso produto semicondutor de alta potência é do tipo N, que é conhecido pela sua robustez e durabilidade.Pode ajudar a reduzir as perdas de energia e melhorar a efici... Veja mais
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China Semicondutor de alta tensão de baixa vazagem para carga de pilhas à venda

Semicondutor de alta tensão de baixa vazagem para carga de pilhas

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Realçar:Cool Mos Semicondutor, Mousse fresca de baixa vazagem, Carregamento de pilha Cool Mos
Descrição do produto: Voltagem baixa vazamento Frio Mos O semicondutor para aplicações de energia Este produto em particular é um semicondutor Tipo N com baixa capacitância de junção, tornando-o ideal para aplicações de alta tensão.Sua alta eficiência garante que ele pode lidar com grandes quantida... Veja mais
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China Alta potência Baixa fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas à venda

Alta potência Baixa fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas

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Realçar:IGBT de baixo vazamento N-canal, IGBT de canal N resistente a altas temperaturas, Tipo N IGBT de alta potência
Descrição do produto: Potência resistente a altas temperaturas e a baixas fugas N canal IGBT Os nossos semicondutores de potência de alta tensão são capazes de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente, tornando-os ideais para várias indústrias como geração de energia, distribuição, tr... Veja mais
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China TO-247 N canal semicondutor de alta potência para pilha de carregamento à venda

TO-247 N canal semicondutor de alta potência para pilha de carregamento

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Marca: Lingxun
Realçar:TO-247 Semicondutor de alta potência, Carregamento de pilha de alta potência semicondutor, Semicondutor de potência de canal N
Descrição do produto:Tipo N Resistência a altas temperaturas Baixa fuga Baixa capacidade de junção de potência semicondutorProjetado com uma baixa capacitância de junção, este semicondutor é ideal para aplicações de alta frequência que exigem velocidades de comutação rápidas.Aumentar a eficiência gl... Veja mais
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