Semicondutor de alta potência
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Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência
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Marca: Lingxun
Realçar:LCS65R900 Super Junction MOSFET, 4A650V Super Junction MOSFET
Excelente Porta de Carga N Canal Super Junção MOSFET 4A650V LCS65R900 Semicondutor de Alta Potência
Id:4A
Vdss: 650 V
Rdson-type ((@Vgs=10V): 840mÓ
Características:
• Projeto de junção de alta densidade
• Excelente carga de porta x RDS ((ON) Produto ((FOM))
• Ultra-baixa resistência
• Confiáve... Veja mais
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MOSFET de potência com resistência a altas temperaturas, baixa fuga e baixa capacidade de junção
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Marca: Lingxun
Realçar:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET
Descrição do produto:
A alta eficiência é um atributo crucial para sistemas eletrónicos de alta potência, e o nosso produto foi concebido para o fornecer.que se traduz em custos energéticos reduzidosA elevada eficiência do produto torna-o uma escolha ideal para veículos eléctricos que necessitam d... Veja mais
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Baixo vazamento Baixa capacidade de junção Alta temperatura Resistência Voltagem N Canal de energia Semicondutor
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Marca: Lingxun
Realçar:Low Junction Capacitance Power Semiconductor, High Temperature Resistance Power Semiconductor, Low Leakage Power Semiconductor
Descrição do produto:
Os nossos semicondutores de alta tensão caracterizam-se pela sua alta luminosidade, capacidade de comutação rápida e gestão térmica robusta.tornando-os ideais para uso em ambientes exigentes que exigem resistência a altas temperaturas.Com alta eficiência e desempenho superior... Veja mais
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Voltagem de baixa capacidade de junção IGBT para temperatura com baixa fuga
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Marca: Lingxun
Realçar:Temperature Voltage IGBT, Low Leakage Voltage IGBT, Low Junction Capacitance Voltage IGBT
Descrição do produto:O semicondutor de alta potência é particularmente útil em aplicações de pilha de carregamento para veículos elétricos, onde o IGBT de alta tensão é necessário para uma transferência eficiente de energia.Com a sua elevada eficiência, o semicondutor de alta potência é ideal para a... Veja mais
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Potência de baixa capacidade de junção N canal semicondutor
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Marca: Lingxun
Realçar:Low Junction Capacitance Semiconductor
Descrição do produto:
Um dos benefícios mais significativos dos semicondutores de potência de alta tensão é a sua capacidade de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente.Ferramentas elétricas, purificadores de ar e outras aplicações que exijam dispositivos discretos de alta tensão.Est... Veja mais
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MOSFETs de baixa capacidade de junção tipo N para eficiência energética avançada
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Marca: Lingxun
Realçar:High Temperature Resistance MOSFETs, Advanced Energy Efficient MOSFETs, Low Leakage MOSFETs
Descrição do produto:
Uma das principais características dos semicondutores de alta tensão é a sua capacidade de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente.Isto faz com que sejam componentes essenciais nos sistemas de geração e distribuição de energia, onde contribuem para melhorar a e... Veja mais
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Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N
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Marca: Lingxun
Realçar:High Power Semiconductor N Channel, High Power N Channel, N Channel High Power Semiconductor
Aplicação múltipla Semicondutor de alta potência Canal N
Características
• Baixa taxa de entrada
• RDS baixo ((on) por área de chip ((Low FOM)
• Perda de comutação e condução muito baixa
• Extremamente elevada robustez de comutação
Aplicações
• Inversores solares
• TV LCD/LED/PDP
• Forn... Veja mais
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11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potência para carregador alternativo
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Marca: Lingxun
Realçar:TO-252 MOSFET de alta potência, MOSFET de alta potência de comutação de carregadores, 650 V MOSFET de alta potência
11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potência para carregador alternativo
MOSFET de superjunção de canal N
Número da peça: LC65R380D
Embalagem:TO-252
Características principais
Eu...D11A
VDSS:650 V
Tipo RDSON VGS=10V:340mΩ
Características
• Adotar tecnologia avançada de trincheiras... Veja mais
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TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores 15A 600V 274mΩ
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Marca: Lingxun
Realçar:Transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores, TO-220F Semicondutor de óxido metálico, Transistores de efeito de campo 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F Transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor
MOSFET de superjunção de canal N
Número da peça: LC60R280F
Embalagem:TO-220F
Características principais
Eu...D- Não, não.
VDSS:600 V
Tipo RDSON VGS=10V:274mΩ
Características
• Baixa taxa de entrada... Veja mais
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Semicondutor de alta tensão de tipo N de alta potência com baixa fuga
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Marca: Lingxun
Realçar:Semicondutores de alta potência de tipo N, Semicondutor de baixa vazagem de alta potência, Semicondutores de alta tensão de tipo N
Descrição do produto:
Resistência à temperatura Voltagem de junção baixa Capacidade de baixa fuga N Semicondutor de potência
Com baixo vazamento e baixa capacitância de junção, este semicondutor de tipo N é otimizado para aplicações de alta tensão.Sua capacidade de lidar com altas tensões e corrent... Veja mais
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Semicondutor de baixa comutação de alta potência 15A 650V 238mΩ para conversores CC-DC
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Marca: Lingxun
Realçar:Semicondutor de baixa comutação de alta potência, Semicondutor de alta potência 15A, Semicondutor de alta potência 650V
15A 650V 238mΩ Semicondutor de baixa comutação de alta potência para conversores DC-DC
MOSFET de superjunção de canal N
Número da parte: LC65R280D
Embalagem:TO-252
Características principais
Eu...D- Não, não.
VDSS:650 V
Tipo RDSON VGS=10V:238mΩ
Características
• Baixa taxa de entra... Veja mais
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19A 600V 160mΩ Semicondutor de alta potência para fontes de alimentação industriais
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Marca: Lingxun
Realçar:Semicondutor de alta potência de 600 V, 19A Semicondutor de alta potência, 160mΩ Semicondutor de alta potência
19A 600V 160mΩ Semicondutor de alta potência de comutação reduzida para fontes de alimentação industriais
MOSFET de superjunção de canal N
Número da parte: LC60R190D
Embalagem:TO-220F
Características principais
Eu...D19A
VDSS:600 V
Tipo RDSON VGS=10V:160mΩ
Características
• Reduçã... Veja mais
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20A 650V 150mΩ MOS de arrefecimento para fontes de alimentação em modo comutado
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Marca: Lingxun
Realçar:20A MOS frio, Fornecedores de alimentação alternados MOS frio, MOS de alta tensão de 650 V
20A 650V 150mΩ Estabilidade e uniformidade MOS frio para fontes de alimentação de modo comutado
MOSFET de superjunção de canal N
Número da parte: LC65R190F
Embalagem:TO-220F
Características principais
Eu...D:20A
VDSS:650 V
Tipo RDSON VGS=10V:150mΩ
Características
• RDS (acendido)... Veja mais
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TO-252 Montador de superfície Semicondutor de alta potência 5A 500V 1.33Ω Para secador de cabelo
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Marca: Lingxun
Realçar:Montador de superfície Semicondutor de alta potência, TO-252 Semicondutor de alta potência, Semicondutor de alta potência de 500 V
5A 500V 1.33Ω TO-252 Superfície montada Semicondutor de alta potência para secador de cabelo
MOSFET de potência de modo de aumento de N-Channel
Número da parte: CS5N50A5
Embalagem:TO-252
Características principais
Eu...D5A
VDSS:500 V
Tipo RDSON VGS=10V: 1,33Ω
Características
• Mud... Veja mais
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MOSFET de alta potência de baixo vazamento N canal TO-220F TO-263C TO-247AC
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Marca: Lingxun
Realçar:MOS de alta potência de canal N, MOSFET de alta potência TO-247AC, TO-263C MOSFET de alta potência
Descrição do produto:
MOSFET de potência de baixa tensão e vazamento
O semicondutor de alta potência de tipo N é um tipo de semicondutor que apresenta baixo vazamento e resistência a altas temperaturas.Sua capacidade de resistir a altas temperaturas torna-o adequado para uso em ambientes adversosO ... Veja mais
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IGBT de alta potência de baixo vazamento N Channel para aplicações industriais
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Marca: Lingxun
Realçar:N IGBT de alta potência, IGBT de alta potência industrial, IGBT industrial de canal N
Descrição do produto:
IGBT de baixa tensão de vazamento para aplicações industriais
O IGBT de potência de alta tensão, o motor de refrigeração de potência de alta tensão e os dispositivos discretos de alta tensão são alguns dos atributos-chave deste produto.com capacidades de comutação rápida e ges... Veja mais
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Semicondutores de alta potência de canal N com baixa capacidade de junção de baixa vazamento
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Marca: Lingxun
Realçar:Semicondutores de alta potência de canal N, Semicondutores de baixa vazagem de alta potência, Semicondutores de potência de baixa capacidade de junção
Descrição do produto:N Canal Voltagem Baixa Fuga Baixa Capacidade de Junção Resistência a Alta Temperatura Semicondutor de PotênciaO nosso produto semicondutor de alta potência é do tipo N, que é conhecido pela sua robustez e durabilidade.Pode ajudar a reduzir as perdas de energia e melhorar a efici... Veja mais
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Semicondutor de alta tensão de baixa vazagem para carga de pilhas
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Marca: Lingxun
Realçar:Cool Mos Semicondutor, Mousse fresca de baixa vazagem, Carregamento de pilha Cool Mos
Descrição do produto:
Voltagem baixa vazamento Frio Mos O semicondutor para aplicações de energia
Este produto em particular é um semicondutor Tipo N com baixa capacitância de junção, tornando-o ideal para aplicações de alta tensão.Sua alta eficiência garante que ele pode lidar com grandes quantida... Veja mais
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Alta potência Baixa fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas
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Marca: Lingxun
Realçar:IGBT de baixo vazamento N-canal, IGBT de canal N resistente a altas temperaturas, Tipo N IGBT de alta potência
Descrição do produto:
Potência resistente a altas temperaturas e a baixas fugas N canal IGBT
Os nossos semicondutores de potência de alta tensão são capazes de lidar com altas tensões e correntes de forma eficiente, tornando-os ideais para várias indústrias como geração de energia, distribuição, tr... Veja mais
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TO-247 N canal semicondutor de alta potência para pilha de carregamento
Preço: According to your order requirement
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Marca: Lingxun
Realçar:TO-247 Semicondutor de alta potência, Carregamento de pilha de alta potência semicondutor, Semicondutor de potência de canal N
Descrição do produto:Tipo N Resistência a altas temperaturas Baixa fuga Baixa capacidade de junção de potência semicondutorProjetado com uma baixa capacitância de junção, este semicondutor é ideal para aplicações de alta frequência que exigem velocidades de comutação rápidas.Aumentar a eficiência gl... Veja mais
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