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GaN Epitaxial Wafer

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China GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial à venda

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   As propriedades elétricas do GaN dopado com Mg do tipo p são investigadas através de medidas de efeito Hall em temperatura variável.Amostras com uma gama de concentrações d... Veja mais
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China O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm à venda

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Veja mais
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China 625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada à venda

625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Veja mais
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China Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch à venda

Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone Vista geral O nitreto do gálio (GaN) está criando um deslocamento inovativo durante todo o mundo da eletrônica de poder. Por décadas, os MOSFETs silicone-baseados (transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal) fora... Veja mais
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China 2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde à venda

2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Azul-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone O nitreto do gálio é uma tecnologia de semicondutor usada para o poder superior, aplicações de alta frequência do semicondutor. O nitreto do gálio exibe diversas características que fazem melhor do que o GaAs e o silicone para vário... Veja mais
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China Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF à venda

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: Nanowin
Realçar:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm   Visão geral Bolachas epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) (epi-wafers).Transistores de alta mobilidade eletrônica GaN (HEMT) wafers em diferentes substratos, como substrato de silíc... Veja mais
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China laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm à venda

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN Por que use GaN Wafers? O nitreto do gálio na safira é o material ideal para a amplificação de rádio da energia. Oferece um número de benefícios sob... Veja mais
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China GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial à venda

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP＞0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   Por exemplo, GaN é o substrato que torna possíveis os diodos de laser violeta (405 nm), sem o uso de duplicação de frequência óptica não linear.Sua sensibilidade à radiação ioni... Veja mais
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China µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 à venda

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate
a C-cara 10*10.5mm2 Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralA carcaça do nitreto do gálio (GaN) é uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, qu... Veja mais
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China Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes à venda

Espessura 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substratos de GaN independentes

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:350 ±25 µm GaN Substrates, 10 X 10.5 mm2 GaN Substrates
10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser   Visão geral Substratos de GaN Substratos e wafers de GaN (nitreto de gálio) de alta qualidade (baixa densidade de deslocamento) e os melhores preços do mercado. ... Veja mais
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China plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15° à venda

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:0.35 ±0.15° GaN Single Crystal Substrate
a C-cara do ² de 10*10.5mm Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralAs características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para aplicações do LD (violeta, azul... Veja mais
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China a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm à venda

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:5*10mm2 GaN Single Crystal Substrate
a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm Vista geralAs bolachas finas de Epi são de uso geral para dispositivos do MOS da vanguarda. Epi grosso ou as bolachas epitaxial Multi-mergulhadas são... Veja mais
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China a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm à venda

a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:10⁶Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate, 10mm2 GaN Single Crystal Substrate
a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm Vista geral O mercado do dispositivo de semicondutor de GaN inclui as empresas chaves tais como o Cree, o Infineon Technologies, o Qorvo, os... Veja mais
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China a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser à venda

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:5*10mm2 GaN single crystal substrate
a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geral A densidade de poder é melhorada extremamente nos dispositivos do nitreto do gálio comparados ao silicone uns porque GaN tem a capacidade sustentar umas frequências de... Veja mais
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China a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm à venda

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Dispositivo RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:10⁶ Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate
a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm Agora um material novo chamado Gálio Nitreto (GaN) tem o potencial substituir o silicone como o coração de microplaquetas eletrônicas. O n... Veja mais
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China a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser à venda

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Laser GaN Single Crystal Substrate
a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralEstas bolachas de GaN realizam diodos láser ultra-brilhantes inauditos e os dispositivos de poder de grande eficacia para o uso nas fontes luminosas do projetor, nos inve... Veja mais
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China AlGaN Buffer Thickness 600nm 2inch Blue-LED GaN On Silicon Wafer à venda

AlGaN Buffer Thickness 600nm 2inch Blue-LED GaN On Silicon Wafer

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:600nm GaN On Silicon Wafer, 2inch GaN On Silicon Wafer
GaN de LED azul de 2 polegadas em wafer de silício   Existem três substratos principais que são usados ​​com GaN - Carboneto de Silício (SiC), Silício (Si) e Diamante.GaN em SiC é o mais comum dos três e tem sido usado em várias aplicações militares e para aplicações de infraestrutura sem fio de a... Veja mais
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China Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) à venda

Substratos de GaN Ga Rugosidade da superfície da face < 0,2 nm (polido) ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Surface Treatment GaN Substrates, Epitaxy GaN Substrates, Polished GaN Substrates
10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser   Visão geralFornecemos substratos GaN de alta qualidade produzidos pelo método HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) originalmente projetado, utilizando mais de 10 anos... Veja mais
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China N-tipo diodo emissor de luz Si-lubrificado de 4 polegadas de GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm, laser, PIN Epitaxial Wafer à venda

N-tipo diodo emissor de luz Si-lubrificado de 4 polegadas de GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm, laser, PIN Epitaxial Wafer

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Sapphire GaN Epitaxial Wafer, PIN GaN Epitaxial Wafer, 4 Inch GaN Epitaxial Wafer
N-tipo GaN Si-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity<0.05 Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN Para GaN levemente Si-lubrificado (  1016 do   do × do   [do si] = do   do   2,1 cm −3), a mobilidade de elétron da temperatura ambiente (RT) era t... Veja mais
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China GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único à venda

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

Preço: Negotiable
MOQ: 1
Prazo de entrega: Negotiable
Marca: Ganova
Realçar:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Veja mais
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