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Cristal do carboneto de silicone

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China Sic cristal 4

Sic cristal 4" do lingote JDZJ01-001-002 categoria de D

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:4” SiC Ingot Crystal, D Grade SiC Ingot Crystal
Sic lingote 4" de cristal categoria de P Sic os dispositivos podem operar-se em altas frequências (RF e micro-ondas) devido à velocidade de tração saturada alta do elétron de sic. É sic um condutor térmico excelente. O calor fluirá mais prontamente completamente sic do que outros materiais do... Veja mais
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China JDZJ01-001-004 SiC Cristal de Lingote 6

JDZJ01-001-004 SiC Cristal de Lingote 6" grau P

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:P grade SiC Ingot Crystal, 6” SiC Ingot Crystal
SiC cristal de lingote 6" Pgrade   Carboneto de silício, extremamente duro, composto cristalino de silício e carbono produzido sinteticamente.Sua fórmula química é SiC.Desde o final do século 19, o carboneto de silício tem sido um material importante para lixas, rebolos e ferramentas de corte.   ... Veja mais
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China Sic o cristal de semente JDZJ01-001-005 S classifica 6

Sic o cristal de semente JDZJ01-001-005 S classifica 6" a categoria φ153±0.5mm de S

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:S Grade SiC Seed Crystal, φ153±0.5mm SiC Seed Crystal, 6” SiC Seed Crystal
Sic categoria 6" do cristal de semente S categoria φ153±0.5mm de S É sic um condutor térmico excelente. O calor fluirá mais prontamente completamente sic do que outros materiais do semicondutor. De fato, na temperatura ambiente, tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que todo o metal.... Veja mais
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China Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007 à venda

Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:Silicon Carbide Seed Crystal
Cristal de semente do carboneto de silicone JDZJ01-001-007 Os dispositivos eletrónicos formaram em sic podem operar-se extremamente em altas temperaturas sem sofrimento dos efeitos intrínsecos da condução porque do bandgap largo da energia. Também, esta propriedade reserva sic emitir-se e detec... Veja mais
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China JDZJ01-001-008 Cristal de semente de SiC de 4 e 6 polegadas à venda

JDZJ01-001-008 Cristal de semente de SiC de 4 e 6 polegadas

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:6inch SiC Seed Crystal
JDZJ01-001-008 Cristal de semente de SiC de 4 e 6 polegadas   As propriedades físicas e eletrônicas do SiC o tornam o principal material semicondutor para optoeletrônicos de comprimento de onda curto, alta temperatura, resistente à radiação e dispositivos eletrônicos de alta potência/alta frequênc... Veja mais
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China 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade Politype 4H

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:Silicon Carbide Crystal P Grade, single crystal silicon carbide, Silicon Carbide Crystal 4H
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabricati... Veja mais
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China JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6

JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6" S Grade φ153±0.5mm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
SiC seed crystal S grade 6" S grade φ153±0.5mm SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabrication of very high-voltage, high-power devices such ... Veja mais
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China Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4

Resistividade de cristal de carboneto de silício de grau P de 4" 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:P Grade Silicon Carbide Crystal, crystalline silicon carbide 0.028ohm.Cm, 4" Silicon Carbide Crystal
4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor materials. In fact, at room temperature, SiC has a higher thermal conductivity than any ... Veja mais
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China 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:single crystal silicon carbide 4", N type crystalline silicon carbide, single crystal silicon carbide Si face
JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high- power/hig... Veja mais
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China 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 18.0mm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:100.0mm Silicon Carbide Crystal, single crystal sic 4", Silicon Carbide Crystal 18.0mm
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. Also, this property allows ... Veja mais
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China 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N à venda

0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:0.015ohm.cm Silicon Carbide Crystal, N Type sic crystal, Silicon Carbide Crystal 32.5mm
0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve extremely low levels of impurities. It is used to measure the impurities within SiC C... Veja mais
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China Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4

Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 100.0mm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Realçar:32.5mm Silicon Carbide Crystal, SiC Seed Crystal 100.0mm, Silicon Carbide Crystal 4"
Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric... Veja mais
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