Produtos de semicondutor discretos

Transistor PNP pré-biasado de montagem de superfície 250MHz Frequência de transição 200mW DTA114

LDMOS Dual FETs RF de fonte comum com ganho de 15,7dB e saída de 360W

N Canal JFET 30 V através de buraco Discreto Caixa de fita de semicondutor para aplicações RF

DTA123 Transistor PNP pré-biasado em SOT-23 Pacote 50V 250mV Monte de superfície

DTC114 Transistor de superfície ativa montado NPN pré-viado no pacote SOT-723

PDTA114 PNP Transistores pré-biasados 100mA 50V através do buraco N XP TO-92-3 500mW 10kOhms

Superfície montada LDMOS RF FETs Tape Reel 26dBm Potência para 2,496GHz a 2,69GHz

Montador de chassi LDMOS RF FET Transistor 20W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V Voltagem corrente nominal 28A

DDTA143 PNP Transistor pré-biasado 250MHz 50V Descomposição 200mW Potência

Chassis Mount LDMOS RF FETs Reel de fita 55W 19dB 2.11-2.17GHz 65V BLF8 SOT-1244C

GaN HEMT RF FETs Tray Pack For Frequency Ampleon USA Inc. Série CLF1G0035

Transistor Toshiba PNP ativo RN2105 250MHz 80 10mA 150mW SOT-723 Tape/Reel

Transistor PNP pré-biasado de montagem de superfície 250 MHz 200mW DTA113 UMT3

65V 24W LDMOS Chassis Mount RF FET Transistor para aplicações de 1,88GHz

Superfície montada Transistor NPN pré-biasado com baixa saturação de Vce PDTC144 250mW Nexperia TO-236AB

PDTC144 Transistores NPN pré-biasados 230MHz 50V

LDMOS RF FET 24W Potência de saída RF Mosfet Chassis Mount Semicondutor 1.99GHz

LDMOS FETs 880MHz RF Mosfet 90W 17.9dB Gain Transistors para montagem de chassi

Transistores NPN pré-biasados 250MHz Frequência de transição 300mV Saturação

BLS6 Chassis Mount RF Mosfet com 60V de tensão nominal e 30W de potência